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IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-263AA N-CH 1000V 1.6A

N-Channel 1000V 1.6A Tc 100W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Ixys Corporation&s;s IXTA1R6N100D2 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 100000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK


IXTA1R6N100D2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 645pF @25VVds

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA1R6N100D2引脚图与封装图
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