IXFX200N10P

IXYS Semiconductor 分立器件

Single N-Channel 100V 830W 235NC Through Hole Power Mosfet - TO-264

N-Channel 100V 200A Tc 830W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3

贸泽:
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX200N10P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.5 mΩ

耗散功率 830 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 7600pF @25VVds

额定功率Max 830 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFX200N10P引脚图与封装图

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