额定电压DC 600 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 350 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 400W Tc
输入电容 3.60 nF
栅电荷 58.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFH22N60P | IXYS Semiconductor | Single N-Channel 600V 400W 58NC Through Hole Power Mosfet - TO-247 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH22N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 600V 22A 350mΩ 3.6nF | 当前型号 | Single N-Channel 600V 400W 58NC Through Hole Power Mosfet - TO-247 | 当前型号 | |
型号: IXFV22N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: PLUS N-Channel 600V 22A 350mohms 3.6nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin3+Tab PLUS 220 | IXFH22N60P和IXFV22N60P的区别 | |
型号: IXFH22N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 600V 22A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFH22N60P和IXFH22N60P3的区别 | |
型号: IXTQ22N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 600V 22A 3.6nF | 类似代替 | N沟道 600V 22A | IXFH22N60P和IXTQ22N60P的区别 |