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IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度


得捷:
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B


欧时:
MOSFET N-Ch 500V 63A Q3 HiPerFET SOT227B


e络盟:
晶体管, MOSFET, Q3-Class, N沟道, 63 A, 500 V, 0.065 ohm, 10 V, 6.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 63A 4-Pin SOT-227B


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN80N50Q3  MOSFET MODULE, N-CH, 500V, 63A, SOT-227 New


IXFN80N50Q3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 780 W

阈值电压 6.5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 63A

输入电容Ciss 10000pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 780W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

IXFN80N50Q3引脚图与封装图
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在线购买IXFN80N50Q3
型号 制造商 描述 购买
IXFN80N50Q3 IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFN80N50Q3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFN80N50Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4 N-Channel 500V 63A

当前型号

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号: IXFN80N50

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4 N-Channel 500V 80A 55mΩ

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN80N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V

IXFN80N50Q3和IXFN80N50的区别

型号: IXFN32N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4 N-CH 600V 32A

类似代替

SOT-227B N-CH 600V 32A

IXFN80N50Q3和IXFN32N60的区别