IXTX550N055T2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTX550N055T2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1250W Tc
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 40000pF @25VVds
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTX550N055T2引脚图与封装图
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在线购买IXTX550N055T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTX550N055T2 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 55V 550A Plus247 | 搜索库存 |
替代型号IXTX550N055T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTX550N055T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS-247 | 当前型号 | Mosfet n-Ch 55V 550A Plus247 | 当前型号 |
| 型号： IXTK550N055T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-CH 55V 550A | 类似代替 | TO-264 N-CH 55V 550A | IXTX550N055T2和IXTK550N055T2的区别 |