IXFE80N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFE80N50中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 580W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 9890pF @25VVds
额定功率Max 580 W
耗散功率Max 580W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFE80N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFE80N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFE80N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 | 当前型号 | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXFN48N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 500V 48A 100mΩ | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V | IXFE80N50和IXFN48N50的区别 |
| 型号： IXFN80N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 500V 80A 55mΩ | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V | IXFE80N50和IXFN80N50的区别 |
| 型号： IXFN55N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 55A | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN55N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 55 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 4.5 V | IXFE80N50和IXFN55N50的区别 |