IXTA32P20T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA32P20T中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 14500pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA32P20T引脚图与封装图
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在线购买IXTA32P20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA32P20T | IXYS Semiconductor | P沟道 200V 32A | 搜索库存 |
替代型号IXTA32P20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA32P20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 P-CH 200V 32A | 当前型号 | P沟道 200V 32A | 当前型号 |
| 型号： IXTH32P20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Mosfet p-Ch 200V 32A To-247 | IXTA32P20T和IXTH32P20T的区别 |
| 型号： IXTP32P20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 功能相似 | 通孔 P 通道 200V 32A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB | IXTA32P20T和IXTP32P20T的区别 |