IXFH30N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 5700pF @25VVds
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXFH30N50Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |