IXTA15N50L2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA15N50L2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 480 mΩ
耗散功率 300 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 4080pF @25VVds
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA15N50L2引脚图与封装图
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在线购买IXTA15N50L2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA15N50L2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin2+Tab TO-263AA | 搜索库存 |
替代型号IXTA15N50L2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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