IXKP24N60C5M
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 34 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXKP24N60C5M | IXYS Semiconductor | N-Channel 600V 8.5A 0.165Ω Flange Mount CoolMOS Power Mosfet - TO-220FP | 搜索库存 |