IXTR16P60P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTR16P60P中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 5120pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTR16P60P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTR16P60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTR16P60P | IXYS Semiconductor | ISOPLUS P-CH 600V 10A | 搜索库存 |