IXTH21N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH21N50中文资料参数规格
技术参数
额定功率 300 W
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 21A
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
额定功率Max 300 W
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH21N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXTH21N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH21N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD N-CH 500V 21A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 500V 21A | 当前型号 |
| 型号： IXFH21N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD N-CH 500V 21A | 类似代替 | TO-247AD N-CH 500V 21A | IXTH21N50和IXFH21N50Q的区别 |
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