IXTA3N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA3N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 3.00 A
通道数 1
漏源极电阻 2 Ω
耗散功率 70 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 409 pF
栅电荷 9.30 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 409pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA3N50P引脚图与封装图
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在线购买IXTA3N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA3N50P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin2+Tab TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA3N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA3N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 500V 3.6A 409pF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin2+Tab TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTY3N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252 500V 3.6A 409pF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin2+Tab TO-252AA | IXTA3N50P和IXTY3N50P的区别 |
| 型号： IXTP3N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 500V 3A 409pF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin3+Tab TO-220 | IXTA3N50P和IXTP3N50P的区别 |