IXFN48N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN48N50Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXFN48N50Q引脚图与封装图
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在线购买IXFN48N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN48N50Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN48N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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