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IXFT16N90Q

IXFT16N90Q

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-268 N-CH 900V 16A

表面贴装型 N 通道 900 V 16A(Tc) 360W(Tc) TO-268


得捷:
MOSFET N-CH 900V 16A TO268


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 16A 3-Pin2+Tab TO-268


IXFT16N90Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 16A

输入电容Ciss 4000pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFT16N90Q引脚图与封装图
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