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IXFK24N100

IXFK24N100

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-264AA N-CH 1000V 24A

Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Ixys Corporation"s power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 560000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

IXFK24N100中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 24.0 A

额定功率 560 W

漏源极电阻 390 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 560 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 8700pF @25VVds

额定功率Max 560 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXFK24N100引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号IXFK24N100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFK24N100

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264 N-CH 1kV 24A 390mΩ

当前型号

TO-264AA N-CH 1000V 24A

当前型号

型号: APT10040LVRG

品牌: 美高森美

封装: TO-264 N-CH 1kV 25A 9.4nF

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