IXTT75N10
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free