IXFB60N80P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFB60N80P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 140 mΩ
耗散功率 1.25 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 18000pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFB60N80P引脚图与封装图
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在线购买IXFB60N80P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFB60N80P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3Pin3+Tab PLUS 264 | 搜索库存 |
替代型号IXFB60N80P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFB60N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3Pin3+Tab PLUS 264 | 当前型号 |
| 型号： IXFB62N80Q3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 800V 62A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFB60N80P和IXFB62N80Q3的区别 |