IXTP05N100M
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 25W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 0.7A
输入电容Ciss 260pF @25VVds
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTP05N100M | IXYS Semiconductor | TO-220 N-CH 1000V 0.7A | 搜索库存 |