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IXTT68P20T

IXTT68P20T

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

P沟道 200V 68A

P-Channel 200V 68A Tc 568W Tc Surface Mount TO-268


立创商城:
P沟道 200V 68A


得捷:
MOSFET P-CH 200V 68A TO268


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IXTT68P20T power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 568000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 68A 3-Pin2+Tab TO-268


Win Source:
MOSFET P-CH 200V 68A TO268 / P-Channel 200 V 68A Tc 568W Tc Surface Mount TO-268AA


IXTT68P20T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 568 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 68A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 33400pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 568W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT68P20T引脚图与封装图
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在线购买IXTT68P20T
型号 制造商 描述 购买
IXTT68P20T IXYS Semiconductor P沟道 200V 68A 搜索库存
替代型号IXTT68P20T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTT68P20T

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 P-CH 200V 68A

当前型号

P沟道 200V 68A

当前型号

型号: IXTH68P20T

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 P-CH 200V 68A

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TO-247P-CH 200V 68A

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