IXTH50P10

IXYS Semiconductor 分立器件

P沟道 100V 50A

通孔 P 通道 100 V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET P-CH 100V 50A TO247

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P沟道 100V 50A

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Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD

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Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD

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MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD

IXTH50P10中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 4350pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

IXTH50P10引脚图与封装图

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