IXTA3N110
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA3N110中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4 Ω
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 1100 V
漏源击穿电压 1100 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA3N110引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXTA3N110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA3N110 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 1100V 3A | 当前型号 | D2PAK N-CH 1100V 3A | 当前型号 |
| 型号： IXTA3N120 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 1.2kV 3A | 类似代替 | 表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA） | IXTA3N110和IXTA3N120的区别 |