IXFA34N65X2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 540W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 34A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 3330pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFA34N65X2 | IXYS Semiconductor | TO-263AA N-CH 650V 34A | 搜索库存 |