额定电压DC 500 V
额定电流 16.0 A
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
输入电容 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFH16N50P | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STW12NK90Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V | IXFH16N50P和STW12NK90Z的区别 |