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IXTH11P50
IXYS Semiconductor 分立器件

IXTH 系列 单 P沟道 500 V 750 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD

P-Channel 500V 11A Tc 300W Tc Through Hole TO-247 IXTH


得捷:
MOSFET P-CH 500V 11A TO247


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IXTH11P50 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD


IXTH11P50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -500 V

额定电流 -11.0 A

额定功率 300 W

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTH11P50引脚图与封装图
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