IXFK420N10T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK420N10T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1670W Tc
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 420A
输入电容Ciss 47000pF @25VVds
耗散功率Max 1670W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
宽度 5.13 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK420N10T引脚图与封装图
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在线购买IXFK420N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK420N10T | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 420A | 搜索库存 |
替代型号IXFK420N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK420N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 100V 420A | 当前型号 | N沟道 100V 420A | 当前型号 |
| 型号： IXFX420N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Single N-Channel 100V 1670W 670NC Through Hole Power Mosfet - PLUS247 | IXFK420N10T和IXFX420N10T的区别 |