IXTQ76N25T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ76N25T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 42 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 460 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 300 V
连续漏极电流Ids 76A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ76N25T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ76N25T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ76N25T | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 250V 76A | 搜索库存 |
替代型号IXTQ76N25T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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