IXFH36N55Q2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH36N55Q2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 560 W
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 550 V
连续漏极电流Ids 36A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 4100pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 560W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH36N55Q2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH36N55Q2 | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 550V 36A | 搜索库存 |