IXFT74N20
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT74N20中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 74A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 5400pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT74N20引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFT74N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT74N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 200V 74A | 当前型号 | TO-268 N-CH 200V 74A | 当前型号 |
| 型号： APT20M38SVR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3Pin2+Tab D3PAK | IXFT74N20和APT20M38SVR的区别 |