通道数 1
漏源极电阻 34 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 74A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 3300pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTQ74N20P | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 200V 74A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTQ74N20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-CH 200V 74A | 当前型号 | TO-3P N-CH 200V 74A | 当前型号 | |
型号: IXFH74N20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 200V 74A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTQ74N20P和IXFH74N20P的区别 | |
型号: IXTT74N20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 74A 3Pin2+Tab TO-268 | IXTQ74N20P和IXTT74N20P的区别 | |
型号: IXTH72N20 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXTQ74N20P和IXTH72N20的区别 |