IXTN79N20

IXYS Semiconductor 分立器件

MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227

底座安装 N 通道 200 V 85A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

贸泽:
MOSFET 79 Amps 200V

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 85A; 400W; SOT227B

IXTN79N20中文资料参数规格

技术参数

额定功率 400 W

耗散功率 -

漏源极电压Vds 200 V

封装参数

安装方式 Screw

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTN79N20引脚图与封装图

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替代型号IXTN79N20

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