IXFR20N80P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR20N80P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 570 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 166 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 4680pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 166W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR20N80P引脚图与封装图
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