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IXFT24N50Q

IXFT24N50Q

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin2+Tab TO-268

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg ,High dv/dt

Features

IXYS advanced low Qg process

International standard packages

Low RDS on

Unclamped Inductive Switching UIS rated

Fast switching

Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification


得捷:
MOSFET N-CH 500V 24A TO268


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin2+Tab TO-268


Win Source:
HiPerFET Power MOSFETs


IXFT24N50Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFT24N50Q引脚图与封装图
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在线购买IXFT24N50Q
型号 制造商 描述 购买
IXFT24N50Q IXYS Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin2+Tab TO-268 搜索库存
替代型号IXFT24N50Q
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFT24N50Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268

当前型号

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin2+Tab TO-268

当前型号

型号: IXFT24N50

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 N-CH 500V 24A

类似代替

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IXFT24N50Q和IXFT24N50的区别

型号: IXTT24N50Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2

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品牌: IXYS Semiconductor

封装:

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