IXTP160N10T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP160N10T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
额定功率Max 430 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP160N10T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTP160N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP160N10T | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 160A | 搜索库存 |
替代型号IXTP160N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP160N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 100V 160A | 当前型号 | N沟道 100V 160A | 当前型号 |
| 型号： IXTH160N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3Pin3+Tab TO-247 | IXTP160N10T和IXTH160N10T的区别 |
| 型号： IXTQ160N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 100V 160A | 功能相似 | TO-3P N-CH 100V 160A | IXTP160N10T和IXTQ160N10T的区别 |
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