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IXFB44N100P

IXFB44N100P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

通孔 N 通道 1000V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264™

Compared to traditional transistors, power MOSFETs, developed by Ixys Corporation, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 1250000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with hiperfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

IXFB44N100P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 1250 W

阈值电压 6.5 V

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 19000pF @25VVds

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

宽度 5.31 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFB44N100P引脚图与封装图
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IXFB44N100P IXYS Semiconductor 通孔 N 通道 1000V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264™ 搜索库存
替代型号IXFB44N100P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFB44N100P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

当前型号

通孔 N 通道 1000V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264™

当前型号

型号: IXFB44N100Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

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IXFB44N100P和IXFB44N100Q3的区别

型号: IXFK40N90P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3 N-CH 900V 40A

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