IXFR34N80

IXYS Semiconductor 分立器件

ISOPLUS N-CH 800V 28A

N-Channel 800V 28A Tc 416W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 28A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR34N80中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 28.0 A

漏源极电阻 240 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 416W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

上升时间 45.0 ns

输入电容Ciss 7500pF @25VVds

耗散功率Max 416W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFR34N80引脚图与封装图

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