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IXTP80N10T

IXTP80N10T

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IXYS Semiconductor 分立器件

IXTP80N10T 管装

Thanks to Ixys Corporation, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the power MOSFET. Its maximum power dissipation is 230000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


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MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB


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N沟道 100V 80A


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MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds


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Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220


IXTP80N10T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 14 mΩ

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 3040pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP80N10T引脚图与封装图
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在线购买IXTP80N10T
型号 制造商 描述 购买
IXTP80N10T IXYS Semiconductor IXTP80N10T 管装 搜索库存
替代型号IXTP80N10T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXTP80N10T

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-220-3

当前型号

IXTP80N10T 管装

当前型号

型号： IXFT80N10

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-268-2 N-CH

类似代替

TO-268 N-CH 100V 80A

IXTP80N10T和IXFT80N10的区别

型号： IPB70N10S3L-12

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 100V 70A

功能相似

Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IXTP80N10T和IPB70N10S3L-12的区别

型号： IXFH80N10

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247AD N-CH 100V 80A

功能相似

TO-247AD N-CH 100V 80A

IXTP80N10T和IXFH80N10的区别