额定电压DC 500 V
额定电流 12.0 A
耗散功率 200 W
输入电容 1.69 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1830pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTP12N50P | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 12A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTP12N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 500V 12A 1.69nF | 当前型号 | N沟道 500V 12A | 当前型号 | |
型号: IXFP12N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 N-Channel 500V 12A 500mΩ 1.69nF | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTP12N50P和IXFP12N50P的区别 | |
型号: IXTI12N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-3 500V 12A 1.69nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3Pin2+Tab TO-263 | IXTP12N50P和IXTI12N50P的区别 | |
型号: IXFA12N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263 N-Channel 500V 12A 500mΩ 1.69nF | 类似代替 | N沟道 500V 12A | IXTP12N50P和IXFA12N50P的区别 |