IXFK120N30T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK120N30T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 960W Tc
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 120A
输入电容Ciss 20000pF @25VVds
耗散功率Max 960W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK120N30T引脚图与封装图
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在线购买IXFK120N30T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK120N30T | IXYS Semiconductor | TO-264 N-CH 300V 120A | 搜索库存 |
替代型号IXFK120N30T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK120N30T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 300V 120A | 当前型号 | TO-264 N-CH 300V 120A | 当前型号 |
| 型号： IXTK110N30 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 300V 110A 3Pin3+Tab TO-264AA | IXFK120N30T和IXTK110N30的区别 |
| 型号： IXFX120N30T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 300V 120A | 功能相似 | PLUS N-CH 300V 120A | IXFK120N30T和IXFX120N30T的区别 |