IXFR24N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR24N50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 24A
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR24N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFR24N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFR24N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS N-CH 500V 24A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 500V 24A | 当前型号 |
| 型号： IXFR26N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | IXFR24N50和IXFR26N50的区别 |
| 型号： IXFR24N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | IXFR24N50和IXFR24N50Q的区别 |
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