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IXFX44N80P

IXFX44N80P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 800V 44A

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1200000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes hiperfet technology.


得捷:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3


立创商城:
N沟道 800V 44A


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXFX44N80P power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1200000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin3+Tab PLUS 247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247


IXFX44N80P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1040 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 12000pF @25VVds

额定功率Max 1040 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXFX44N80P引脚图与封装图
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在线购买IXFX44N80P
型号 制造商 描述 购买
IXFX44N80P IXYS Semiconductor N沟道 800V 44A 搜索库存
替代型号IXFX44N80P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXFX44N80P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3

当前型号

N沟道 800V 44A

当前型号

型号： IXFX44N80Q3

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3 N-CH 800V 44A

类似代替

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

IXFX44N80P和IXFX44N80Q3的区别

型号： IXFK44N80P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-264 N-Channel 44A

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK44N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V

IXFX44N80P和IXFK44N80P的区别

型号： IXFK44N80Q3

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-264-3 N-CH 800V 44A

功能相似

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

IXFX44N80P和IXFK44N80Q3的区别