IXFN26N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN26N100P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 595W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 11900pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 595W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN26N100P引脚图与封装图
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在线购买IXFN26N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN26N100P | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 1000V 23A | 搜索库存 |
替代型号IXFN26N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-CH 1000V 23A | 当前型号 | SOT-227B N-CH 1000V 23A | 当前型号 |
| 型号： IXFE24N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 22A 4Pin ISOPLUS 227 | IXFN26N100P和IXFE24N100的区别 |
| 型号： IXFR24N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1kV 22A 390mΩ | 功能相似 | ISOPLUS N-CH 1000V 22A | IXFN26N100P和IXFR24N100的区别 |