IXTT60N10
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT60N10中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 3200pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT60N10引脚图与封装图
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