IXFX50N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX50N50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 520 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXFX50N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFX50N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX50N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 50A | 当前型号 | PLUS N-CH 500V 50A | 当前型号 |
| 型号： IXFK50N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3Pin3+Tab TO-264AA | IXFX50N50和IXFK50N50的区别 |
| 型号： IRFPS40N50L 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IXFX50N50和IRFPS40N50L的区别 |
| 型号： APT5010LLC 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-264 N-CH 500V 47A | IXFX50N50和APT5010LLC的区别 |