IXFK26N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK26N100P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 780 W
漏源极电压Vds 1000 V
输入电容Ciss 11900pF @25VVds
耗散功率Max 780W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK26N100P引脚图与封装图
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在线购买IXFK26N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK26N100P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 20A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
替代型号IXFK26N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 20A 3Pin3+Tab TO-264 | 当前型号 |
| 型号： IXFX26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 20A | 功能相似 | PLUS N-CH 1000V 20A | IXFK26N100P和IXFX26N100P的区别 |
| 型号： IXFN24N100F 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT N-Channel 600W（Tc） | 功能相似 | IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B | IXFK26N100P和IXFN24N100F的区别 |