IXTQ42N25P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ42N25P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 84 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 42A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ42N25P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTQ42N25P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ42N25P | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 250V 42A | 搜索库存 |
替代型号IXTQ42N25P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ42N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 250V 42A | 当前型号 | TO-3P N-CH 250V 42A | 当前型号 |
| 型号： IXTP42N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-Channel 250V 42A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP42N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 42 A, 250 V, 84 mohm, 10 V, 5.5 V | IXTQ42N25P和IXTP42N25P的区别 |
| 型号： IXTA42N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 | IXTQ42N25P和IXTA42N25P的区别 |