IXTU02N50D
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTU02N50D中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 30 Ω
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTU02N50D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTU02N50D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTU02N50D | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 500V 0.2A To-251 | 搜索库存 |
替代型号IXTU02N50D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTU02N50D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： IPAK-3 | 当前型号 | Mosfet n-Ch 500V 0.2A To-251 | 当前型号 |
| 型号： IXTP02N50D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220AD N-CH 500V 0.2A | 功能相似 | TO-220AD N-CH 500V 0.2A | IXTU02N50D和IXTP02N50D的区别 |
| 型号： IXTY02N50D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 0.2A 3Pin2+Tab TO-252AA | IXTU02N50D和IXTY02N50D的区别 |