锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXFN48N60P

IXFN48N60P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B


立创商城:
N沟道 600V 40A


艾睿:
This IXFN48N60P power MOSFET from Ixys Corporation can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 625000 mW. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN48N60P  MOSFET MODULE, N-CH, 600V, 40A, SOT-227B New


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B


IXFN48N60P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 48.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 W

阈值电压 5.5 V

输入电容 8.86 nF

栅电荷 150 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 8860pF @25VVds

额定功率Max 625 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

IXFN48N60P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFN48N60P
型号 制造商 描述 购买
IXFN48N60P IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存