IXFR55N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR55N50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 48A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR55N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFR55N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFR55N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 N-CH 500V 48A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 500V 48A | 当前型号 |
| 型号： IRFPS43N50K 品牌： 威世 封装： Super-247 N-CH 500V 47A | 功能相似 | Super-247 N-CH 500V 47A | IXFR55N50和IRFPS43N50K的区别 |