锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
IXTK17N120L

IXTK17N120L

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS Linear 系列

N 通道功率 MOSFET 专门设计用于线性操作。这些设备具有扩展的正向偏置安全工作区域 FBSOA，可提高坚固性和可靠性。


欧时:
IXYS Linear 系列 Si N沟道 MOSFET IXTK17N120L, 17 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装


立创商城:
N沟道 1.2kV 17A


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 17A TO264


贸泽:
MOSFET 17 Amps 1200V


艾睿:
Thanks to Ixys Corporation, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the IXTK17N120L power MOSFET. Its maximum power dissipation is 700000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin3+Tab TO-264


IXTK17N120L中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 990 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 700 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1200 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 8300pF @25VVds

额定功率Max 700 W

下降时间 63 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTK17N120L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTK17N120L
型号 制造商 描述 购买
IXTK17N120L IXYS Semiconductor N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear series N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability. ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXTK17N120L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXTK17N120L

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-264-3 N-CH 1200V 17A

当前型号

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号： IXFH16N120P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3 N-CH 1200V 16A

功能相似

N沟道 1.2kV 16A

IXTK17N120L和IXFH16N120P的区别

型号： IXFT16N120P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-268-2

功能相似

Trans MOSFET N-CH 1.2kV 16A 3Pin2+Tab TO-268

IXTK17N120L和IXFT16N120P的区别

型号： IXTX17N120L

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3 N-CH 1200V 17A

功能相似

PLUS N-CH 1200V 17A

IXTK17N120L和IXTX17N120L的区别